多晶硅棒热破碎装置

电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置专利查询企查查

本发明公开了电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置，所述方法包括：(1)在CVD炉内的硅棒生长完成后，关闭原料进口和尾气出口，向炉内吹扫保护气体，多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程,12.第二方面，本技术实施例提供一种多晶硅棒的破碎方法，其利用第一方面实施例的多晶硅棒破碎系统进行，其包括以下步骤：13.还原炉停止运行后，分别用热电子级多晶硅棒热破碎方法与流程,1.本技术涉及多晶硅领域，具体地，涉及电子级多晶硅棒热破碎方法。背景技术：2.在多晶硅行业中，气相沉积法生产的电子级多晶硅为体积较大的棒状料，供给

一种破碎多晶硅棒的装置及方法CN102059170A专利顾如

1.一种多晶硅棒破碎装置，其特征在于，包括密封容器和向所述密封容器通入压缩气体的供气装置，所述密封容器设有压缩气体入口和能迅速开启的出气门，所电子级多晶硅热破碎加热装置和加热方法及破碎装置与流程,56.在本发明的第二个方面，本发明提出了一种采用以上实施例所述的电子级多晶硅热破碎加热装置对多晶硅棒料进行加热的方法。根据本发明的实施例，所述方法多晶硅硅棒的破碎方法盖德化工问答,从还原炉成形完成后的硅棒破碎，人工方法居多，也有机械空气锤砸的。.拿下来后都会先锯成20~30cm长一段一段的。.人工方法包括直接用碳化钨锤砸，有人提

专题学习】多晶硅专题研究概念看点：多晶硅是工业硅下游

改良西门子法制备多晶硅过程中，首先将氯气与氢气结合生成氯化氢，然后与工业硅破碎研磨后的硅粉反应生成三氯氢硅，进一步通入氢气将其还原生成多晶硅。如下图所示的硅电子级多晶硅热破碎装置的制作方法,1.本技术涉及多晶硅行业，具体地，涉及电子级多晶硅热破碎装置。背景技术：2.在多晶硅行业中，气相沉积法生产的电子级多晶硅为体积较大的棒状料，供给下多晶硅破碎块及其制造方法技术技高网,在多晶硅破碎块中，对于源自破坏工具的材质而不可避免地产生污染的钨、钴，能一起高度地去除。一种多晶硅破碎块，其特征在于，表面金属浓度为15.0pptw

多晶硅棒热破碎装置,人们发现了半导体

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一种破碎多晶硅棒的装置及方法CN102059170A专利顾如

1.一种多晶硅棒破碎装置，其特征在于，包括密封容器和向所述密封容器通入压缩气体的供气装置，所述密封容器设有压缩气体入口和能迅速开启的出气门，所述供气装置通过所述压缩气体入口向所述密封容器通入压缩气体至所述密封容器内的气压达到预定值。多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法,多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法.技术领域】.[0001]本发明涉及多晶硅碎块及破碎多晶硅棒的方法。.背景技术】.[0002]在工业规模上，粗制硅是在光弧炉中在约2000°C的温度下通过用碳还原二氧化硅获得的。.[0003]在此获得纯度约为98至99%的所谓的“冶金级一种多晶硅棒破碎装置CN209646683U专利顾如,本实用新型提供的一种多晶硅棒破碎装置，包括壳体、盛料篮和冷却介质；壳体顶端开口；盛料篮用于放置多晶硅棒，盛料篮的开口方向与壳体的开口方向一致，并放置于壳体内，盛料篮的非开口面上开设有若干通孔，盛放于壳体内的冷却介质通过通孔流入或流出盛料篮，冷却介质与放置于盛料篮中

多晶硅研究系列2：多晶硅生产成本的构成与控制在

在第一篇文章中，通过对多晶硅主要生产工艺（TCS改良西门子法、硅烷流化床法和冶金法）的比较我们发现：.1.基于TCS的改良西门子法仍是多晶硅生产最主要的方法.改良西门子法目前为全世界提供多晶硅的生产工艺流程及有关设备有哪些？百度知道,展开全部.多晶硅的生产工艺流程及有关设备有：.1、多晶硅生产主要关键设备（在改良西门子法中）：氯化氢合成炉，三氯氢多晶硅生产工艺流程哔哩哔哩,多晶硅生产工艺流程,多晶硅最主要的工艺包括，三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化（有的采用氯氢化），精馏，还原，尾气回收，还有一些小的主项，制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。.主要反应包括：Si+HClSiHCl3+H2（三氯氢硅合

多晶硅破碎块及其制造方法技术技高网

在多晶硅破碎块中，对于源自破坏工具的材质而不可避免地产生污染的钨、钴，能一起高度地去除。一种多晶硅破碎块，其特征在于，表面金属浓度为15.0pptw以下，优选为7.0～13.0pptw，所述表面金属浓度中，表面钨浓度为0.9pptw以下，优选为0.40～0.85pptw，并且表面钴浓度为0.3ppt多晶硅棒热破碎装置,人们发现了半导体,热加工工艺编辑部icedu多晶硅棒热破碎装置人们发现了半导体;粉碎机淄博经销冷热饮料机;内腔无砂散热器价格;热熔胶磨粉机超低温港宝机;焦化炉蓄热室烟气流程;微晶石发热原理;焦煤的发热量;热加工工艺编辑部;永福电厂热电联产项目;碎石机油站加热器多晶硅生产工艺学索比光伏网,一冲击式多晶硅破碎装置的研究与设计百度学术,摘要：多晶硅(Polysilicon)作为半导体材料所使用的基础材料,在微电子技术和光伏发电技术中应用普遍,被称为"微电子大厦的基石".多晶硅破碎长久以来一直是采用人工使用镶嵌硬质合金或者碳化钨合金的破碎锤进行敲碎作业,即使在一些多晶硅技术较先进的国家也一贯采用这种破碎方式.人工破碎灵活性

一种多晶硅自动破碎生产系统百度学术

CN630102.摘要：.本发明涉及多晶硅生产领域,具体涉及一种多晶硅自动破碎生产系统.本发明的实施例中提供的多晶硅自动破碎生产系统,包括第一运输装置,预破碎装置,第二运输装置,破碎装置,筛分装置以及包装装置.在使用过程中,多晶硅硅棒通过第一运输装置一种多晶硅棒破碎装置CN209646683U专利顾如,本实用新型提供的一种多晶硅棒破碎装置，包括壳体、盛料篮和冷却介质；壳体顶端开口；盛料篮用于放置多晶硅棒，盛料篮的开口方向与壳体的开口方向一致，并放置于壳体内，盛料篮的非开口面上开设有若干通孔，盛放于壳体内的冷却介质通过通孔流入或流出盛料篮，冷却介质与放置于盛料篮中多晶硅破碎机设计豆丁网,1.5设计方案的选取多晶硅棒料的尺寸是直径150mm,长2500mm的圆柱，硬度非常高，而且在破碎的过程中必须保证不能污染多晶硅，这给设计带来一些难度。.经过反复的设计，最终确定了方案，破碎机类型为锤式破碎机，模仿工人的锤击方式。.1、第

多晶硅研究系列2：多晶硅生产成本的构成与控制在

在第一篇文章中，通过对多晶硅主要生产工艺（TCS改良西门子法、硅烷流化床法和冶金法）的比较我们发现：.1.基于TCS的改良西门子法仍是多晶硅生产最主要的方法.改良西门子法目前为全世界提供多晶硅的生产工艺图及车间工艺培训豆丁网,在1080~1100的反应温度下，在还原炉内通电的炽热硅芯硅棒的表面，三氯氢硅发生氢还原反应，生成硅沉积下来，使硅芯硅棒的直径逐渐变大。.经过约150小时反应沉积过程，制得直径为120～150mm，长2000mm的多晶硅棒，即为高纯多晶硅产品。.还原炉炉筒夹套通入多晶硅生产工艺——最全，供收藏！中国粉体网,通过这种方法得到的多晶硅，其中C元素的含量不超过0.0005%，由此可见，硅石碳热还原法得到的多晶硅的纯度相当之高。6、电解法电解法采用电解硅酸盐的方式得到纯度较高的硅，在电解装置中，以C作为阳极，反应温度控制在1000℃，在经过一段时间的电解反应后，Si单质将会在阴极上附着，阳极